霍尔效应实验原理概述(霍尔效应实验原理)
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1、原发布者:罗凌霄
2、霍尔效应实验
3、1
4、霍尔效应是霍尔(Hall)24岁时在美国霍普金斯大学读研究生期间,研究关于载流导体在磁场中的受力性质时发现的一种磁电现象。
5、EdwinHall(1855~1938)
6、2
7、霍耳效应
8、1879年,霍尔(E.H.Hall,1855-1936)发现,把一载流导体放在磁场中时,如果磁场方向与电流方向垂直,则在与磁场和电流两者垂直的方向上出现横向电势差。这一现象称为霍耳效应,这电势差称为霍耳电势差。霍尔效应是磁电效应的一种。BI------------------+++++++++++++++V2V1
9、I
10、3
11、霍耳效应
12、4
13、霍耳效应的机理(载流子带正电)
14、B
15、++++bvd+q-----
16、d
17、IB霍耳电压UHRHdF
18、m
19、+
20、I
21、UH
22、qEHqvdB
23、EHvdB
24、UHEHb=vdbB
25、IqnvdSqnvdbdvdbI(qnd)IBUHnqd1霍耳RHIB系数RHnq5d
26、Fe
27、霍耳效应的应用(1)判断半导体的类型BFm++++IIvd+UH--P型半导体
28、+++
29、---v
30、d
31、BFm
32、UH
33、N型半导体
34、+
35、(2)测量磁场霍耳电压
36、IBUHRHd
37、6
38、量子霍尔效应(1980年)
39、400
40、UH/mV
41、300200
42、100
43、n3n4
44、5
45、n2
46、B/T
47、UH霍耳电阻RHI
48、10
49、15
50、h2(n1,2,)RHne
51、7
52、霍耳效应的机理(载流子带负电)
53、FmevB
54、FeeEH
55、动态平衡时:
56、UHI
57、y------------dv
58、Fm
59、V1
60、BI
61、evBeEH
62、z
63、b-e-F+++++++++++eV2
64、x
65、E
本文到此讲解完毕了,希望对大家有帮助。